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臺(tái)積電2納米完勝!分析師曝三星先進(jìn)制程慘況:甚至落后英特爾

發(fā)布時(shí)間:2025-01-07 11:24

臺(tái)積電在先進(jìn)制程上取得技術(shù)領(lǐng)先,但韓媒日前披露,由于臺(tái)積電2納米的售價(jià)過高及產(chǎn)能有限等2大疑慮,大客戶可能轉(zhuǎn)單三星2納米,SemiAnalysis分析師帕特爾(Dylan Patel)則在社群平臺(tái)X發(fā)文駁斥這些傳言,強(qiáng)調(diào)三星目前制程的效能、功耗及面積落后臺(tái)積電近3年,也落后英特爾近1年。

三星集團(tuán)的科技產(chǎn)品新聞網(wǎng)站《sammobile》先前報(bào)導(dǎo),蘋果、輝達(dá)及高通是首批使用2納米晶片的廠商,但臺(tái)積電的產(chǎn)能極為有限,輝達(dá)與高通可能轉(zhuǎn)單三星2納米。但帕特爾直言,這些奇怪的謠言沒根據(jù),因?yàn)楦咄拜x達(dá)對三星都沒有信心。

帕特爾說,目前三星制程的效能、功耗及面積,都落后臺(tái)積電近3年,并且落后英特爾近1年。他強(qiáng)調(diào),英偉達(dá)、高通向來會(huì)測試三星的全新制程,也會(huì)測試英特爾的制程,根據(jù)了解,輝達(dá)、高通都沒有將主力產(chǎn)品移出臺(tái)積電的打算。

帕特爾透露,臺(tái)積電2納米制程(N2)并未延遲,將如期于2025年下半年量產(chǎn),內(nèi)建N2芯片的產(chǎn)品最快2026年第二季問世。

三星持續(xù)攻克2納米先進(jìn)制程,希望提高良率,但目前三星的先進(jìn)制程存在極大瓶頸,像是在生產(chǎn)高通4納米芯片時(shí)就發(fā)生過熱導(dǎo)致性能降低的情況,因此3納米制程也不受客戶青睞。

來源:中時(shí)新聞網(wǎng)

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